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BUZ31L中文资料

  • 大小：194.68KB
  • 厂家：SIEMENS [Siemens Semiconductor Group]
  • 描述：SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level)
  • 制造商：Infineon
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：200 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：13.5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.2 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-220AB
  • 封装：Tube
  • 下降时间：65 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：95 W
  • 上升时间：80 ns
  • 工厂包装数量：50
  • 典型关闭延迟时间：210 ns
  • 零件号别名：BUZ31LXK

BUZ31L供应商

更新时间:2023-02-21 02:37:23
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